R6049YNZ4C13
Номер на продукта на производителя:

R6049YNZ4C13

Product Overview

Производител:

Rohm Semiconductor

Номер на част:

R6049YNZ4C13-DG

Описание:

NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Подробно описание:
N-Channel 600 V 49A (Tc) 448W (Tc) Through Hole TO-247G

Инвентар:

600 Брой Нови Оригинални На Склад
13238648
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
hXbR
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

R6049YNZ4C13 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
49A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
82mOhm @ 11A, 12V
Vgs(th) (макс.) @ id
6V @ 2.9mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2940 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
448W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247G
Опаковка / Калъф
TO-247-3

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
30
Други имена
846-R6049YNZ4C13

Екологична и износна класификация

Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Сертификация DIGI
Свързани продукти
rohm-semi

R6061YNXC7G

NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO

goford-semiconductor

G300N04D3

MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

G18N50T

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220

goford-semiconductor

G030N06T

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220