Номер на продукта на производителя:
R6509ENJTL
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
R6509ENJTL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Подробно описание:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS
Инвентар:
88 Брой Нови Оригинални На Склад
12851419
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
y96Y
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
R6509ENJTL Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
9A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 230µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
94W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
LPTS
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
R6509
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
846-R6509ENJTLDKR
846-R6509ENJTLTR
846-R6509ENJTLCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IXTA8N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
90
Номер на част
IXTA8N65X2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.41
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
R6507KNJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
R6011KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
FDMS3006SDC
MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56
