Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
R8010ANX
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
R8010ANX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Подробно описание:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
13524383
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
Z
E
a
f
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
R8010ANX Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
560mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1750 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
40W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220FM
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
R8010
Технически данни и документи
Документи за надеждност
TO220FM MOS Reliability Test
Технически данни
R8010ANX
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
SPA11N80C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2180
Номер на част
SPA11N80C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.26
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
TK7A60W,S4VX
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
50
Номер на част
TK7A60W,S4VX-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.72
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STF11N60M2-EP
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
998
Номер на част
STF11N60M2-EP-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.67
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STF10NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
378
Номер на част
STF10NM60ND-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.87
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
R8009KNXC7G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1871
Номер на част
R8009KNXC7G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.74
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RTQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RSH070P05GZETB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
RVQ040N05TR
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
R6024ENJTL
MOSFET N-CH 600V 24A LPTS