Номер на продукта на производителя:
RQ3E100BNTB
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
RQ3E100BNTB-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Подробно описание:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Инвентар:
95904 Брой Нови Оригинални На Склад
13525392
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RQ3E100BNTB Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2W (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-HSMT (3.2x3)
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
RQ3E100
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
RQ3E100BNTBDKR
RQ3E100BNTBCT
RQ3E100BNTBTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SCT3060ALHRC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
RHU003N03T106
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
RQ6C050BCTCR
MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
