Номер на продукта на производителя:
RS6P060BHTB1
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
RS6P060BHTB1-DG
Описание:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Подробно описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентар:
2290 Брой Нови Оригинални На Склад
12990015
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RS6P060BHTB1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1560 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3W (Ta), 73W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-HSOP
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
RS6P060
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
846-RS6P060BHTB1DKR
846-RS6P060BHTB1TR
846-RS6P060BHTB1CT
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RD3L03BBGTL1
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
DMTH45M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH45M5SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
