Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
RV8L002SNHZGG2CR
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
RV8L002SNHZGG2CR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Подробно описание:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Инвентар:
6521 Брой Нови Оригинални На Склад
12948493
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
e
8
e
M
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RV8L002SNHZGG2CR Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.3V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
15 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
DFN1010-3W
Опаковка / Калъф
3-XFDFN
Основен номер на продукта
RV8L002
Технически данни и документи
Технически данни
RV8L002SNHZGG2CR
Допълнителна информация
Стандартен пакет
8,000
Други имена
846-RV8L002SNHZGG2CRTR
846-RV8L002SNHZGG2CRDKR
846-RV8L002SNHZGG2CRCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 Hours)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STW56N65M2-4
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247