Номер на продукта на производителя:
RV8L002SNHZGG2CR
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
RV8L002SNHZGG2CR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Подробно описание:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Инвентар:
6521 Брой Нови Оригинални На Склад
12948493
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
n2qa
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RV8L002SNHZGG2CR Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.3V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
15 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
DFN1010-3W
Опаковка / Калъф
3-XFDFN
Основен номер на продукта
RV8L002
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
8,000
Други имена
846-RV8L002SNHZGG2CRTR
846-RV8L002SNHZGG2CRDKR
846-RV8L002SNHZGG2CRCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 Hours)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STW56N65M2-4
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
