Номер на продукта на производителя:
RYM002N05T2CL
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
RYM002N05T2CL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Подробно описание:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Инвентар:
930120 Брой Нови Оригинални На Склад
13525239
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
9rL4
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RYM002N05T2CL Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
50 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
0.9V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
800mV @ 1mA
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
26 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
150mW (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
VMT3
Опаковка / Калъф
SOT-723
Основен номер на продукта
RYM002
Технически данни и документи
Ръководство за номериране на части
Документи за надеждност
Ресурси за проектиране
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
8,000
Други имена
RYM002N05T2CL-ND
RYM002N05T2CLTR
RYM002N05T2CLCT
RYM002N05T2CLDKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
R6009KNJTL
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
R6010ANX
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
RQ6E060ATTCR
MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
