Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
TT8M1TR
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
TT8M1TR-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Подробно описание:
Mosfet Array 20V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
Инвентар:
6717 Брой Нови Оригинални На Склад
13526624
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TT8M1TR Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Not For New Designs
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция на FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Източване към източникаtage (Vdss)
20V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
260pF @ 10V
Мощност - Макс
1W
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-SMD, Flat Lead
Пакет устройства на доставчика
8-TSST
Основен номер на продукта
TT8M1
Технически данни и документи
Документи за надеждност
TSST8 MOS Reliability Test
Технически данни
TSMT8 TR Taping Spec
Ресурси за проектиране
TSST8D Inner Structure
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
TT8M1TRDKR
TT8M1TRDKR-ND
TT8M1CT
TT8M1TRTR-ND
TT8M1TRCT
TT8M1TRTR
TT8M1TRCT-ND
TT8M1DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
UT6K3TCR
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
US6K2TR
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
QS8J1TR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
QH8MA3TCR
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8