Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
STB100NF03L-03-1
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STB100NF03L-03-1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Подробно описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12872070
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
o
c
E
V
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STB100NF03L-03-1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
-
Поредица
STripFET™ III
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
88 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
6200 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
300W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
I2PAK
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
STB100N
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
497-15805-5
STB100NF03L-03-1-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRF1404LPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
6152
Номер на част
IRF1404LPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.15
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STU10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
STB80NF55L-08-1
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
STB80N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STD36NH02L
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK