Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
STB13NM60N
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STB13NM60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
1000 Брой Нови Оригинални На Склад
12878749
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STB13NM60N Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
MDmesh™ II
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
11A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
790 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
90W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
STB13
Технически данни и документи
Технически данни
ST(B,D)13NM60N Datasheet
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
497-10984-1-DG
STB13NM60N-DG
-1138-STB13NM60NCT
497-STB13NM60NTR
497-10984-6
497-10984-2-DG
497-STB13NM60NDKR
497-10984-2
497-10984-1
497-STB13NM60NCT
-1138-STB13NM60NTR
497-10984-6-DG
-1138-STB13NM60NDKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STB30N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
STF24N60M2
N-channel 600 V, 168 mOhm typ.,
STP95N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
STU95N4F3
MOSFET N-CH 40V 80A IPAK