Номер на продукта на производителя:
STB18N60DM2
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STB18N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
2125 Брой Нови Оригинални На Склад
12878795
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STB18N60DM2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
MDmesh™ DM2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
90W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
STB18
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
497-16339-6
497-16339-1
497-16339-2
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
