Номер на продукта на производителя:
STB28N65M2
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STB28N65M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
12872378
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STB28N65M2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
MDmesh™ M2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
20A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
170W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
STB28
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
497-15456-6
497-15456-2
497-15456-1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IXFA22N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
250
Номер на част
IXFA22N65X2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.56
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STD18NF03L
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STB18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STN1N20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
