STD15N60DM6
Номер на продукта на производителя:

STD15N60DM6

Product Overview

Производител:

STMicroelectronics

Номер на част:

STD15N60DM6-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентар:

2500 Брой Нови Оригинални На Склад
12948226
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

STD15N60DM6 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
MDmesh™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
338mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.75V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
607 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
110W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252 (DPAK)
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
STD15

Допълнителна информация

Стандартен пакет
2,500
Други имена
497-STD15N60DM6CT
497-STD15N60DM6DKR
497-STD15N60DM6TR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

NTMFS5C612NT1G-TE

MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN

stmicroelectronics

STW68N65DM6-4AG

MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4

vishay-siliconix

SUM70030M-GE3

MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7

vishay-siliconix

SIRA20BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK