STD8NM60N-1
Номер на продукта на производителя:

STD8NM60N-1

Product Overview

Производител:

STMicroelectronics

Номер на част:

STD8NM60N-1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK

Инвентар:

12879501
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

STD8NM60N-1 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
-
Поредица
MDmesh™ II
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
560 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
70W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
I-PAK
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Основен номер на продукта
STD8N

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
75

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
IPU80R750P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1500
Номер на част
IPU80R750P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.52
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
stmicroelectronics

STF2N80K5

MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP

stmicroelectronics

SCT1000N170

HIP247 IN LINE

stmicroelectronics

STD20NF06LT4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

stmicroelectronics

STD1NK60-1

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK