Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
STD8NM60N-1
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STD8NM60N-1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12879501
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STD8NM60N-1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
-
Поредица
MDmesh™ II
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
560 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
70W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
I-PAK
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Основен номер на продукта
STD8N
Технически данни и документи
Технически данни
STx8NM60N
Допълнителна информация
Стандартен пакет
75
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IPU80R750P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1500
Номер на част
IPU80R750P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.52
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STF2N80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
SCT1000N170
HIP247 IN LINE
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STD1NK60-1
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK