Номер на продукта на производителя:
STF10N65K3
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STF10N65K3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Подробно описание:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Инвентар:
952 Брой Нови Оригинални На Склад
12948656
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STF10N65K3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tube
Поредица
SuperMESH3™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 100µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
35W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220FP
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
STF10
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
497-12562-5
STF10N65K3-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AIMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
