Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
STFI13N65M2
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STFI13N65M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Подробно описание:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Инвентар:
1500 Брой Нови Оригинални На Склад
12872731
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STFI13N65M2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tube
Поредица
MDmesh™ M2
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
590 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
25W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-281 (I2PAKFP)
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Основен номер на продукта
STFI13N
Технически данни и документи
Технически данни
STF13N65M2
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
-497-16016-5
497-16016-5
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STF13N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
862
Номер на част
STF13N65M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.76
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STL150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
STL28N60M2
MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8
STW18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
SI3400A-TP
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23