Номер на продукта на производителя:
STI24NM60N
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STI24NM60N-DG
Описание:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентар:
981 Брой Нови Оригинални На Склад
12875197
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STI24NM60N Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tube
Поредица
MDmesh™ II
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
125W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
I2PAK
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
STI24
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
497-12260
-1138-STI24NM60N
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STP18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
STP185N10F3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
STW15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO247
