Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
STL12N10F7
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STL12N10F7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
Подробно описание:
N-Channel 100 V 44A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12879448
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STL12N10F7 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
STripFET™ F7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
44A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.3mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1820 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
52W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Опаковка / Калъф
8-PowerVDFN
Основен номер на продукта
STL12
Технически данни и документи
Технически данни
STL12N10F7
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
497-18214-6
497-18214-2
497-18214-1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
TPH12008NH,L1Q
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
5000
Номер на част
TPH12008NH,L1Q-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.35
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
DMT8012LFG-13
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
DMT8012LFG-13-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.32
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STD8NM60N
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
STD13N50DM2AG
POWER TRANSISTORS
STN2NF10
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223