Номер на продукта на производителя:
STP18NM80
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STP18NM80-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентар:
1000 Брой Нови Оригинални На Склад
12879435
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STP18NM80 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tube
Поредица
MDmesh™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2070 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
190W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
STP18
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
497-10076-5
-1138-STP18NM80
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STP40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STFU18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STL25N15F4
MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
