Номер на продукта на производителя:
STP5N120
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STP5N120-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентар:
12877104
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STP5N120 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
-
Поредица
SuperMESH™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
1200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 100µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
160W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
STP5N
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
STP5N120-DG
497-8811-5
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IXFP6N120P
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
171
Номер на част
IXFP6N120P-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
5.19
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
STP33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
