Номер на продукта на производителя:
STU7NM60N
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STU7NM60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Инвентар:
650 Брой Нови Оригинални На Склад
12876960
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STU7NM60N Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tube
Поредица
MDmesh™ II
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
363 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
45W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-251 (IPAK)
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Основен номер на продукта
STU7NM60
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
75
Други имена
497-12367
-1138-STU7NM60N
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STW56N60DM2
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
SCTWA10N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STP15N95K5
MOSFET N-CH 950V 12A TO220
