Номер на продукта на производителя:
STW56N65DM2
Product Overview
Производител:
STMicroelectronics
Номер на част:
STW56N65DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Подробно описание:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентар:
925 Брой Нови Оригинални На Склад
12872203
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
STW56N65DM2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
STMicroelectronics
Опаковане
Tube
Поредица
MDmesh™ DM2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
48A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
360W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-247-3
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
STW56
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Други имена
497-16337-5
-497-16337-5
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STD2NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
STF31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
STF13N60M2
N-channel 600 V, 350 Ohm typ., 1
