Номер на продукта на производителя:
2SA965-O(TE6,F,M)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
2SA965-O(TE6,F,M)-DG
Описание:
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
Подробно описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Инвентар:
12890802
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
RAHf
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
2SA965-O(TE6,F,M) Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Едночипови биполярни транзистори
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип транзистор
PNP
Ток - колектор (Ic) (макс.)
800 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
120 V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
1V @ 50mA, 500mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Мощност - Макс
900 mW
Честота - преход
120MHz
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Опаковка / Калъф
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Пакет устройства на доставчика
TO-92MOD
Основен номер на продукта
2SA965
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1
Други имена
2SA965OTE6FM
2SA965-O(TE6FM)
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
2SA1201-Y(TE12L,ZC
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
788
Номер на част
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.13
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SA965-Y,F(J
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
TTC1949-Y,LF
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
2SC5354,XGQ(O
TRANSISTOR NPN TO-3PN
