2SK3462(TE16L1,NQ)
Номер на продукта на производителя:

2SK3462(TE16L1,NQ)

Product Overview

Производител:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер на част:

2SK3462(TE16L1,NQ)-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
Подробно описание:
N-Channel 250 V 3A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD

Инвентар:

12891599
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

2SK3462(TE16L1,NQ) Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
250 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
267 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
20W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PW-MOLD
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
2SK3462

Допълнителна информация

Стандартен пакет
2,000

Екологична и износна класификация

Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK4017(Q)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

diodes

DMN3026LVTQ-7

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

diodes

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN