Номер на продукта на производителя:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
HN1B01FU-Y(L,F,T)-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Подробно описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
Инвентар:
12891097
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
HN1B01FU-Y(L,F,T) Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
NPN, PNP
Ток - колектор (Ic) (макс.)
150mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Мощност - Макс
200mW
Честота - преход
120MHz
Работна температура
125°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройства на доставчика
US6
Основен номер на продукта
HN1B01
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
UMZ1NTR
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
109445
Номер на част
UMZ1NTR-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.05
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
HN1A01FE-GR,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
2SA1873-GR(TE85L,F
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
HN4B01JE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
