Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
HN1C01FYTE85LF
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
HN1C01FYTE85LF-DG
Описание:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Подробно описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12889413
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
s
X
d
X
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
HN1C01FYTE85LF Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
2 NPN (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
150mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Мощност - Макс
300mW
Честота - преход
80MHz
Работна температура
125°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SC-74, SOT-457
Пакет устройства на доставчика
SM6
Основен номер на продукта
HN1C01
Технически данни и документи
Технически данни
HN1C01F
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
HN1C01FYTE85LFTR
HN1C01F-Y (TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFCT
HN1C01F-Y(TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFDKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IMX1T110
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
30361
Номер на част
IMX1T110-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.06
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
HN2C01FEYTE85LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
HN3C51F-BL(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
BC847CDLP-7
TRANS 2NPN 45V 0.1A 6DFN
HN1C01FE-Y,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6