Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
RN1103MFV,L3F
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN1103MFV,L3F-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Инвентар:
254 Брой Нови Оригинални На Склад
12889861
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN1103MFV,L3F Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Единични, предварително предразположени биполярни транзистори
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Cut Tape (CT)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
NPN - Pre-Biased
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Резистор - основа (R1)
22 kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
22 kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Мощност - Макс
150 mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-723
Пакет устройства на доставчика
VESM
Основен номер на продукта
RN1103
Технически данни и документи
Технически данни
RN1101-6MFB
Допълнителна информация
Стандартен пакет
8,000
Други имена
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFVL3FTR
RN1103MFVL3FDKR
RN1103MFVL3FCT
RN1103MFVL3F
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
NSBC124EF3T5G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4316
Номер на част
NSBC124EF3T5G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.07
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
DTC124EM3T5G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
7315
Номер на част
DTC124EM3T5G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.03
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN2305(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1103MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2114(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
DDTA114EUA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323