Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
RN1109,LF(CT
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN1109,LF(CT-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12891402
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
I
a
8
1
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN1109,LF(CT Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Единични, предварително предразположени биполярни транзистори
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
NPN - Pre-Biased
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Резистор - основа (R1)
47 kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
22 kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
250 MHz
Мощност - Макс
100 mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SC-75, SOT-416
Пакет устройства на доставчика
SSM
Основен номер на продукта
RN1109
Технически данни и документи
Технически данни
RN1107-09
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
264-RN1109,LF(CTDKR
RN1109LF(CT
264-RN1109,LF(CTTR
RN1109,LF(CB
RN1109LF(CT-DG
264-RN1109,LF(CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
DDTC144WE-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
DDTC144WE-7-F-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.03
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN2103,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1308,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2310(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1418(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI