Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
RN1116(TE85L,F)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN1116(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентар:
73 Брой Нови Оригинални На Склад
12890831
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
k
Q
3
f
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN1116(TE85L,F) Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Единични, предварително предразположени биполярни транзистори
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Cut Tape (CT)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
NPN - Pre-Biased
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Резистор - основа (R1)
4.7 kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
10 kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Честота - преход
250 MHz
Мощност - Макс
100 mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SC-75, SOT-416
Пакет устройства на доставчика
SSM
Основен номер на продукта
RN1116
Технически данни и документи
Технически данни
RN1114-18
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
RN1116(TE85LF)CT
RN1116(TE85LF)DKR
RN1116(TE85LF)TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
DTC143XETL
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
25683
Номер на част
DTC143XETL-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.04
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
DDTC143XE-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Diodes Incorporated
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
124025
Номер на част
DDTC143XE-7-F-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.03
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
DTC124XETL
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
5440
Номер на част
DTC124XETL-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.04
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
RN1316,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2920
Номер на част
RN1316,LF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.02
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN2108,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
TDTC114E,LM
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
RN1109(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2105,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM