RN1410,LF
Номер на продукта на производителя:

RN1410,LF

Product Overview

Производител:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер на част:

RN1410,LF-DG

Описание:

TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Инвентар:

4500 Брой Нови Оригинални На Склад
13275903
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
SFrk
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

RN1410,LF Технически спецификации

Категория
Биполярен (BJT), Единични, предварително предразположени биполярни транзистори
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
NPN - Pre-Biased
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Резистор - основа (R1)
4.7 kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
250 MHz
Мощност - Макс
200 mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройства на доставчика
S-Mini
Основен номер на продукта
RN1410

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
264-RN1410LFTR
RN1410,LF(B
264-RN1410LFCT
264-RN1410LFDKR

Екологична и износна класификация

Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Свързани продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1106MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2410,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1310,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM