RN1707,LF
Номер на продукта на производителя:

RN1707,LF

Product Overview

Производител:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер на част:

RN1707,LF-DG

Описание:

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Инвентар:

8711 Брой Нови Оригинални На Склад
12890744
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

RN1707,LF Технически спецификации

Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
10kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
47kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Честота - преход
250MHz
Мощност - Макс
200mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Пакет устройства на доставчика
USV
Основен номер на продукта
RN1707

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
RN1707LFTR
RN1707,LF(B
RN1707LFCT
RN1707LFDKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Свързани продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2708,LF

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2903FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

diodes

DDA124EH-7

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2502(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV