RN1910FE(T5L,F,T)
Номер на продукта на производителя:

RN1910FE(T5L,F,T)

Product Overview

Производител:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер на част:

RN1910FE(T5L,F,T)-DG

Описание:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Инвентар:

Онлайн запит за оферта
12889612
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

RN1910FE(T5L,F,T) Технически спецификации

Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
4.7kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
-
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
250MHz
Мощност - Макс
100mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
ES6
Основен номер на продукта
RN1910

Технически данни и документи

Технически данни
RN1910,11FE Datasheet

Допълнителна информация

Стандартен пакет
4,000
Други имена
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
NSBC143TDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
NSBC143TDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.05
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
PUMH7,115
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Nexperia USA Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
12777
Номер на част
PUMH7,115-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.03
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Свързани продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4981FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1507(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2910FE,LF(CT

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4982FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6