Номер на продукта на производителя:
RN2104MFV,L3F
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN2104MFV,L3F-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Инвентар:
12890726
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
ddkM
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN2104MFV,L3F Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Единични, предварително предразположени биполярни транзистори
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
PNP - Pre-Biased
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Резистор - основа (R1)
47 kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
47 kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Честота - преход
250 MHz
Мощност - Макс
150 mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-723
Пакет устройства на доставчика
VESM
Основен номер на продукта
RN2104
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
8,000
Други имена
RN2104MFVL3F
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN1417,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN2411,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2108MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM