Номер на продукта на производителя:
RN2110,LXHF(CT
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN2110,LXHF(CT-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентар:
6000 Брой Нови Оригинални На Склад
12996501
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
lc96
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN2110,LXHF(CT Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Единични, предварително предразположени биполярни транзистори
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
PNP - Pre-Biased
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Резистор - основа (R1)
4.7 kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
200 MHz
Мощност - Макс
100 mW
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SC-75, SOT-416
Пакет устройства на доставчика
SSM
Основен номер на продукта
RN2110
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
264-RN2110,LXHF(CTTR-DG
264-RN2110LXHF(CTTR-DG
264-RN2110,LXHF(CTDKR
264-RN2110LXHF(CT
264-RN2110LXHF(CTTR
264-RN2110LXHF(CTDKR
264-RN2110,LXHF(CTDKR-DG
264-RN2110,LXHF(CTTR
264-RN2110,LXHF(CT-DG
264-RN2110,LXHF(CT
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
PDTA143TT,215
TRANS PREBIAS
RN2103,LXHF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
PDTA123TT,215
TRANS PREBIAS
