Номер на продукта на производителя:
RN2709JE(TE85L,F)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN2709JE(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Инвентар:
4000 Брой Нови Оригинални На Склад
12891510
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN2709JE(TE85L,F) Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
47kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
22kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
200MHz
Мощност - Макс
100mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-553
Пакет устройства на доставчика
ESV
Основен номер на продукта
RN2709
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
RN2709JE(TE85LF)TR
RN2709JE(TE85LF)CT
RN2709JE(TE85LF)DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN2510(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN2504(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4905T5LFT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
