Номер на продукта на производителя:
RN2906,LF
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN2906,LF-DG
Описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Инвентар:
5268 Брой Нови Оригинални На Склад
12891052
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Dg0y
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN2906,LF Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
4.7kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
47kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Честота - преход
200MHz
Мощност - Макс
200mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройства на доставчика
US6
Основен номер на продукта
RN2906
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
RN2906LF(CTTR-DG
RN2906LFTR
RN2906LF(CTCT
RN2906LF(CTDKR
RN2906LF(CTTR
RN2906LFCT
RN2906LF(CTDKR-DG
RN2906,LF(CT
RN2906LFDKR
RN2906LF(CTCT-DG
RN2906,LF(CB
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN1606(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN1908,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
RN4903(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
