Номер на продукта на производителя:
RN2967FE(TE85L,F)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN2967FE(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентар:
12889280
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
sVj9
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN2967FE(TE85L,F) Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип транзистор
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
10kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
47kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
200MHz
Мощност - Макс
100mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
ES6
Основен номер на продукта
RN2967
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
RN2967FE(TE85LF)CT
RN2967FE(TE85LF)TR
RN2967FE(TE85LF)DKR
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
NSBA114YDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
3990
Номер на част
NSBA114YDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.05
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2907FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4907(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
