Номер на продукта на производителя:
RN4901FE,LF(CT
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN4901FE,LF(CT-DG
Описание:
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентар:
330 Брой Нови Оригинални На Склад
12889750
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
p3LI
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN4901FE,LF(CT Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
4.7kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
4.7kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Честота - преход
200MHz, 250MHz
Мощност - Макс
100mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
ES6
Основен номер на продукта
RN4901
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
RN4901FELF(CTCT
RN4901FELF(CTTR
RN4901FELF(CTDKR
RN4901FE,LF(CB
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RN1510(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1968(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4901(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6