Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
RN4983FE,LF(CT
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
RN4983FE,LF(CT-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентар:
3850 Брой Нови Оригинални На Склад
12890111
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RN4983FE,LF(CT Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
22kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
22kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
250MHz
Мощност - Макс
100mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
ES6
Основен номер на продукта
RN4983
Технически данни и документи
Технически данни
RN4983FE
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
RN4983FELF(CBDKR-DG
RN4983FELF(CTDKR
RN4983FE(T5L,F,T)
RN4983FELF(CTCT
RN4983FE(T5LFT)DKR-DG
RN4983FE(T5LFT)TR
RN4983FELF(CBTR
RN4983FELF(CBDKR
RN4983FE(T5LFT)CT
RN4983FE,LF(CB
RN4983FE(T5LFT)CT-DG
RN4983FELF(CBTR-DG
RN4983FELF(CTTR
RN4983FE(T5LFT)DKR
RN4983FELF(CBCT
RN4983FELF(CBCT-DG
RN4983FE(T5LFT)TR-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
NSBC124EDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
3573
Номер на част
NSBC124EDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.05
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
PEMH1,115
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Nexperia USA Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер на част
PEMH1,115-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.07
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
PEMD2,115
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Nexperia USA Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2902
Номер на част
PEMD2,115-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.06
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DDA144EU-7-F
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
RN1703,LF
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
DDC144NS-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
RN1967FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6