Номер на продукта на производителя:
SSM3J133TU,LF
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM3J133TU,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Подробно описание:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Инвентар:
106343 Брой Нови Оригинални На Склад
12890767
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM3J133TU,LF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSVI
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
840 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
500mW (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
UFM
Опаковка / Калъф
3-SMD, Flat Leads
Основен номер на продукта
SSM3J133
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SSM3J133TULFCT
SSM3J133TU,LF(B
SSM3J133TULFDKR
SSM3J133TU,LF(T
SSM3J133TULFTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
