Номер на продукта на производителя:
SSM5H16TU,LF
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM5H16TU,LF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Подробно описание:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Инвентар:
3515 Брой Нови Оригинални На Склад
12889779
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
pe7E
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM5H16TU,LF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSIII
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
133mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (макс.)
±12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
123 pF @ 15 V
Функция на FET
Schottky Diode (Isolated)
Разсейване на мощността (макс.)
500mW (Ta)
Работна температура
150°C
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
UFV
Опаковка / Калъф
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Основен номер на продукта
SSM5H16
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SSM5H16TULFCT
SSM5H16TU,LF(B
SSM5H16TULFDKR
SSM5H16TULFTR
SSM5H16TU,LF(T
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F