Номер на продукта на производителя:
SSM6J422TU,LF
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM6J422TU,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Подробно описание:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Инвентар:
5226 Брой Нови Оригинални На Склад
12889121
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM6J422TU,LF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSVI
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+6V, -8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
840 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Ta)
Работна температура
150°C
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
UF6
Опаковка / Калъф
6-SMD, Flat Leads
Основен номер на продукта
SSM6J422
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SSM6J422TULFTR
SSM6J422TULFCT
SSM6J422TULFDKR
SSM6J422TU,LF(B
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SSM3K7002CFU,LF
MOSFET N-CH 60V 170MA USM
TK100E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
2SK2993(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
