Номер на продукта на производителя:
SSM6J505NU,LF
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM6J505NU,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Подробно описание:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Инвентар:
14700 Брой Нови Оригинални На Склад
12889227
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM6J505NU,LF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSVI
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
37.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2700 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.25W (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
6-UDFNB (2x2)
Опаковка / Калъф
6-WDFN Exposed Pad
Основен номер на продукта
SSM6J505
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SSM6J505NU,LF(T
SSM6J505NU,LF(B
SSM6J505NULFDKR
SSM6J505NULF
SSM6J505NULFCT
SSM6J505NULFTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
