Номер на продукта на производителя:
SSM6K211FE,LF
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM6K211FE,LF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Подробно описание:
N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Инвентар:
11977 Брой Нови Оригинални На Склад
12891694
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
sTyI
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM6K211FE,LF Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
U-MOSIII
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
47mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
510 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
500mW (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
ES6
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Основен номер на продукта
SSM6K211
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
SSM6K211FE(TE85L,F
SSM6K211FETE85LF
SSM6K211FE(TE85LFDKR
SSM6K211FE,LF(CA
SSM6K211FELFCT
SSM6K211FE(TE85LFTR
SSM6K211FELFTR
SSM6K211FE(TE85LFTR-DG
SSM6K211FELFDKR
SSM6K211FE(TE85LFCT
SSM6K211FE(TE85LFDKR-DG
SSM6K211FE(TE85LFCT-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK5A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
2SK2845(TE16L1,Q)
MOSFET N-CH 900V 1A DP
T2N7002BK,LM
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
