Номер на продукта на производителя:
SSM6L35FU(TE85L,F)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM6L35FU(TE85L,F)-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Подробно описание:
Mosfet Array 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Инвентар:
2617 Брой Нови Оригинални На Склад
12891303
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM6L35FU(TE85L,F) Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция на FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Източване към източникаtage (Vdss)
20V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
180mA, 100mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
9.5pF @ 3V
Мощност - Макс
200mW
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройства на доставчика
US6
Основен номер на продукта
SSM6L35
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SSM6L35FU(TE85LF)TR
SSM6L35FU (TE85L,F)
SSM6L35FU(TE85LF)DKR
SSM6L35FU(TE85LF)CT
SSM6L35FUTE85LF
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SSM6P69NU,LF
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
TPCP8401(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V/12V PS-8
SSM6P15FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
