Номер на продукта на производителя:
SSM6N16FE,L3F
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM6N16FE,L3F-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6
Подробно описание:
Mosfet Array 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Инвентар:
7720 Брой Нови Оригинални На Склад
12889461
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM6N16FE,L3F Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция на FET
-
Източване към източникаtage (Vdss)
20V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.1V @ 100µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
9.3pF @ 3V
Мощност - Макс
150mW (Ta)
Работна температура
150°C
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
ES6
Основен номер на продукта
SSM6N16
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
8,000
Други имена
SSM6N16FE,L3F(B
SSM6N16FEL3FCT
SSM6N16FEL3FTR
SSM6N16FEL3FDKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SSM6N35AFU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
SSM6N7002BFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
SSM6P35FE,LM
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
