Номер на продукта на производителя:
TK16J60W,S1VE
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK16J60W,S1VE-DG
Описание:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Подробно описание:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентар:
44 Брой Нови Оригинални На Склад
12966139
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK16J60W,S1VE Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.7V @ 790µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
130W (Tc)
Работна температура
150°C
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-3P(N)
Опаковка / Калъф
TO-3P-3, SC-65-3
Основен номер на продукта
TK16J60
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
25
Други имена
TK16J60W,S1VE(S
264-TK16J60WS1VE
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SISHA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
SQD100N04-3M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA