Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
TK19A45D(STA4,Q,M)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK19A45D(STA4,Q,M)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Подробно описание:
N-Channel 450 V 19A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентар:
47 Брой Нови Оригинални На Склад
12889085
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
T
M
l
9
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK19A45D(STA4,Q,M) Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
π-MOSVII
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
450 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
19A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
50W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220SIS
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
TK19A45
Технически данни и документи
Технически данни
TK19A45D
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK19A45DSTA4QM
TK19A45D(STA4QM)
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STF16N50M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
726
Номер на част
STF16N50M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.71
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SSM3K335R,LF
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
TK6A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
SSM6J207FE,LF
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
DMP3017SFG-13
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333