Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
TK20C60W,S1VQ
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK20C60W,S1VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12889253
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
D
U
k
2
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK20C60W,S1VQ Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
DTMOSIV
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
20A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.7V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
165W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
I2PAK
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
TK20C60
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STI33N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
9000
Номер на част
STI33N65M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.70
Вид на замяна
Direct
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM