Номер на продукта на производителя:
TK20C60W,S1VQ
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK20C60W,S1VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Подробно описание:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентар:
12889253
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
6VGq
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK20C60W,S1VQ Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
DTMOSIV
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
20A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.7V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
165W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
I2PAK
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
TK20C60
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STI33N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
9000
Номер на част
STI33N65M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.70
Вид на замяна
Direct
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
