Номер на продукта на производителя:
TK22E10N1,S1X
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK22E10N1,S1X-DG
Описание:
MOSFET N CH 100V 52A TO220
Подробно описание:
N-Channel 100 V 52A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентар:
11 Брой Нови Оригинални На Склад
12889283
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK22E10N1,S1X Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
U-MOSVIII-H
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
52A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 300µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
72W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
TK22E10
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK22E10N1S1X
TK22E10N1,S1X(S
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
HUF75542P3
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Fairchild Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1690
Номер на част
HUF75542P3-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.58
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SK3313(Q)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
2SK3128(Q)
MOSFET N-CH 30V 60A TO3P
TK15A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
